1

霍尔效应测试仪

否

套

8

否

2

薄膜厚度测试仪

否

套

8

否

3

四探针测试仪

否

套

8

否

4

晶体管特性测试仪

否

台

8

否

5

单晶少子寿命测试仪

否

套

2

否

6

正置金相显微镜

否

套

2

是

7

综合交流电路试验仪

否

套

8

否

8

源表

否

套

1

否

9

源表

否

套

2

否

10

高性能数字示波器

否

套

2

是

11

函数发生器

否

套

2

否

12

三通道电源

否

套

2

否

13

PN结正向压降与温度关系的研究和应用套件

否

套

2

否

14

三端口器件（MOS/BJT）静态特性测试分析套件

否

套

2

否

15

集成基准电压源性能测试套件

否

套

2

否

16

稳压电源芯片性能测试套件

否

套

2

否

17

MOSFET 器件 CV特性测量套件

否

套

2

否

18

电工技术实验装置

否

套

8

否

1

霍尔效应测试仪

8

1、分立式、模块化设计结构，系统由霍尔效应螺线管磁场测试仪、C型电磁铁、横向霍尔传感器模块、二维移动转接模块、导轨和双刀双掷开关盒等模块组成。

2、通过转接模块即可插拔传感器模块，实现传感器模块的标准化输出，带安装定位刻度，防止错位损坏；实现各物理要素功能、形态独立（专利号：ZL 201930367451.2）（要求提供专利复印件并加盖鲜章）。

3、C型电磁铁模块：磁隙8mm，中心点最大磁感应强度＞220mT，大小可调，励磁电流≤1.0A。

4、横向霍尔传感器模块：霍尔传感器的磁感应方向为印制板的法线方向，霍尔元件的灵敏度＞150mV/（mA·T），不等位电势U_O≤2mV（工作电流I_S=4mA时）。

5、二维移动转接模块：纵向上移动范围为-80mm～80mm。

6、工作电流源：量程0～10.00mA，分辨率0.01mA。

7、励磁电流源：量程0～1000mA，分辨率1mA。

8、霍尔电压表：量程0～20mV和0～200mV两档，可切换，分辨率分别为0.01mV和0.1mV。

2

薄膜厚度测试仪

8

1、测量范围：1nm～300nm

2、测量最小值：≤1nm

3、入射角：30°～90°误差≤0.1°

4、偏振器方位角读数范围：0°～180°

5、度盘刻度：每格2度

6、游标最小读数：0.05°

7、光学中心高度：152㎜

8、工作台直径：；Φ50㎜

9、独立激光器控制系统，避开控制系统相互干扰的问题

10、光源：采用波长为6328A°氦氖激光光源其特点是：光强大、光谱纯、相干性好。

11、接收器：采用硅光电池，把光讯号变为电讯号，经直流放大器输出至指示表示。

12、当光源波长为6328A°时，SiO2膜的一个周期约为283nm左右

13、光学元件BK7 A级精密退火材料，焦距±2%，直径-0.2mm，中心偏差3′，光圈1-5；局部误差0.2-0.5，面粗糙度60/40（Scratch/Dig），氟化镁增透膜镀膜

3

四探针测试仪

8

1.仪器采用GB/T 1552-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

2.范围：电阻率10-4～10+4欧姆·厘米，分辨率为10-4欧姆·厘米

方块电阻10-3～10+5欧姆/□，最小分辨率为10-3欧姆/□

3.可测量材料：半导体材料硅锗棒、块、片、导电薄膜等

可准确测量的半导体尺寸：直径≥20㎜

可测量的半导体尺寸：直径≥8㎜

4.测量方式：平面测量。

5.电压表：双数字电压表，可同时观察电流、电压变化

A.量程0~199.99 mV

B. 灵敏度：10μv

C.基本误差±(0.004%读数+0.01%满度)

D.输入阻抗﹥1000MΩ

E. 4 1/2位数字显示，0～19999

6.恒流源：

A.电流输出：直流电流0.003～100   mA连续可调，由交流电源供给

B.量程：10uA，100uA，1 mA，10 mA，100 mA五档

C.恒流源精度：各档均≤±0.05%

7.四探针测试探头

测量电阻率的小游移探针头，使用几何尺寸十分精确的红宝石轴承，量具精度的硬质合金探针，在宝石导孔内运动，持久耐磨，测量精度高、重复性好。

▲A.探头间距1.59㎜

B.探针机械游率：±0.3%

▲C.探针直径0.8㎜    

D.探针材料：碳化钨

E探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻大于109欧姆。

8.手动测试架：

KDJ-1A 型手动测试架探头上下由手动操作，可以用作断面单晶棒和硅片测试，探针头可上下移动距离：120mm，测试台面200x200(mm)。

9.精度

电器精度：1-1000欧姆≤0.3 %

整机测量精度：0.005-1000欧姆·厘米≤3%

10.电流：220V±10%，50HZ，功率消耗﹤35W

11.测量环境：电磁屏蔽，桌面无机械振动，电源需稳压滤波，湿度≤65，

温度18-28℃

4

晶体管特性测试仪

8

采用示波管显示半导体器件的各种特性曲线。本仪器具有二簇曲线显示，双向集电极扫描功能，可以对被测半导体器件的特性进行对比分析，便于晶体管的配对。设有5kV高压装置。本仪器适用于各种半导体三极管、二极管、场效应管、可控硅、稳压二极管、及三端稳压器等器件的测试。

1、Ｙ轴偏转因数：

集电极电流范围（IC）0.5μA/div—1A/div  分２０档

（IR）50nA/div—1μA/div  分５档

基极电流或基极源电压0.01V/div

外接输入0.01V/div

2、Ｘ轴偏转因数：集电极电压范围（VC）10mV/div—50V/div  分12档(VD) 500V/div

基极电流或基极源电压0.01V/div

外接输入    0.01V/div

3、阶梯信号

阶梯电流范围：0.5μA/级--100mA/级  分17档

阶梯电压范围：0.05V/级—1V/级       分5档

   串联电阻：O、10KΩ、1MΩ            分３档

   每簇级数：1—10级 连续可调。

   每秒级数：200

   极性：正、负、异   分三档。

4、集电极扫描信号

   峰值电压范围及电流容量：

   0—10V档         (10A)

   0—50V档        (1A)

   0—100V档       (0.5A)

   0—500V档    (0.1A)

   0—5KV档        (5mA)

   0--500VAC档   (0.1A)

5

单晶少子寿命测试仪

2

1、仪器采用 GB/T1553-1997 中硅单晶少数载流子寿命测定高频光电导衰减法。

2、测试硅单晶电阻率范围：ρ﹥2Ω•㎝。

测电子级摻杂硅单晶片（厚度小于 1mm）电阻率范围：ρ﹥0.1Ω.cm（表面可能需抛光处理）。

3、可测材料：硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、硅块、硅片等。

4、可测单晶少子寿命τ范围：5μs~10000μs。

5、红外光源配臵：波长 1.06～1.09μm，红外光在硅单晶内穿透深度大于 500μm； 闪光频率约为：40 次／秒；光脉冲关断时间：0.2-1μｓ，余辉＜1μｓ； 脉冲电流：5A～20A；

6、高频振荡源：用石英谐振器，振荡频率：30MHZ。

7、前臵放大器，放大倍数约 30，频宽   2HZ-2MHZ。

▲8、检波电压显示：流过测试样品上的高频电流（通过取样器）产生的稳定电压。

9、高频电极采用铟与样品接触，铟可以减小半导体材料与金属电极间的接触电阻，   提高测试灵敏度。

10、仪器测量重复误差：﹤±25%。

11、显示方式：本仪器配臵数字存储示波器，模拟带宽 50MHz，最大实时采样率1GSa/S，垂直灵敏度 2mv-5v/div，扫描范围：2.5ns—50s/div。

12、仪器消耗功率：﹤50 W。

13、仪器工作条件：温度：10-35℃，湿度﹤65%；使用电源：AC 220V，50HZ。

14、   可测单晶尺寸：

断面竖测：直径 25mm-150mm；厚度 2mm-500mm； 纵向卧测：直径 5mm-150mm；长度 50mm-800mm。

6

正置金相显微镜

2

1、齐焦距离：国际标准值45mm

2、目镜：高眼点大视野视度可调目镜PL10X，视野范围≥22mm；

3、物镜：金相荧光物镜

（1）5X， WD≥15.5mm；  

（2）10X，WD≥9.00mm；

（3）20X，WD≥4.00mm；

（4）50X，WD≥7.9mm；

4、物镜转盘：≥5孔内倾斜编码型转换器；

5、观察筒：数码观察筒，分光比5:5或者100:0，可接入耦合光路；

6、样品高度：最大样品高度≥78mm

7、光谱特性：多路激光可通过光纤或者空间光路耦合到显微镜：785nm/808nm等五个激发波长，荧光信号通过光纤或者空间光路从显微镜耦合回到光谱仪，波段覆盖范围从200—1100nm；

8、机架：反射机架，低手位粗微同轴调焦机构；

9、上照明: 自适应宽电压100V-240V_AC50/60Hz，反射灯室，单颗大功率5WLED，带视场光阑与孔径光阑，中心可调；

10、摄像接口：可锁定成像和目视野的焦距，可调节成像和目视野的同步性；

7

综合交流电路试验仪

8

▲1、输出信号：正弦波：50～100KHz；方波：50～1KHz；

2、输出电压幅度：（0～6V）p-p；

▲3、交流指零仪：最高灵敏度2×10-9A/div，有过载保护；

4、Ra:由六个电阻组成:1Ω,10Ω,100Ω,1KΩ,10KΩ,100kΩ；精度0.2%；

5、Rb:由（0～10）×（1000+100+10+1）Ω四盘电阻箱组成，精度0.2%；

6、R:由（0～10）×（1000+100+10+1+0.1）Ω五盘电阻箱组成，精度0.2% ；

7、标准电容Cn：三组十进式电容箱（0～10）×（0.1+0.01+0.001）μF ；

8、标准电感Ln：二组十进式电感箱（0～10）×（10+1）mH ；

9、透明插件式待测电阻Rx、待测电容Cx、待测电感Lx。

8

源表

1

▲1、电压量程20mV-200V，电流量程10nA-1A；

2、读数缓存>250000，>3000读数/秒；

3、支持香蕉口和三同轴连接；

4、扫描类型：   线性，对数，双线性，双对数，定制

▲5、基本准确度：0.012%，分辨率 6½数位

6、I-V曲线测试；

7、5英寸电容屏；

8、USB、以太网、GPIB通信接口；

9、作为源和负载，在四象限工作。

9

源表

2

1、双通道

▲2.、电压量程200mV-200V，电流量程100nA-10A

▲3、基本准确度：0.015%，分辨率 6½数位

4、作为源和负载，在四象限工作

5、最小可编程脉宽100μs

6、USB、LXI、GPIB、RS-232

10

高性能数字示波器

2

★1、带宽：不小于500MHz

2、模拟通道数：不小于4通道

3、采样率随机2.5Gsps

4、记录长度：所有通道上   不小于10 M 点

5、最低时基1ns/div

6、上升时间（典型计算值）：800ps

7、输入灵敏度范围：1mv/格（非放大）

8、>280,000次/秒波形捕获速率

9、包含仪器功能：频谱分析仪（9K~1GHz，底噪<-130dBm/Hz）、数字电压表、5位频率计数器

10、每通道配有一根500MHz带宽探头，<4pF输入电容；

11、多点触摸电容屏幕尺寸11.6英寸；

12、支持鼠标，USB存储，USB/以太网通信接口；

核心产品

11

函数发生器

2

▲1、输出频率:不小于50MHz,单通道；

▲2、输出幅度范围： 1mVP-P ~ 10VP-P 至 50Ω 负载；

3、垂直分辨率：14位；

4、记录长度：不小于16M；

5、可以实时查看被测器件上的实际波形，而不需使用示波器和探头；

6、内置波形包括正弦、方波、锯齿波、脉冲、噪声和其他   常用波形；

7、9 英寸容性触摸屏。

12

三通道电源

2

1、3通道电源，30V@3A两通道，5V@3A一路

2、   电压设置基本精度0.06%，电流设置基本精度0.2%

3、输出噪声<5mVp-p

4、通道可以串并联输出

5、USB通信接口

13

PN结正向压降与温度关系的研究和应用套件

2

1、温度控制范围室温+5℃—100℃

2、1升温时间(从20℃升至100℃)    ≤15min；

3、控温精度 ±0.3℃

4、温度显示精度 0.1℃

14

三端口器件（MOS/BJT）静态特性测试分析套件

2

1、进行半导体器件的静态直流参数测试，支持三同轴/香蕉头接口连接

2、软件功能软件支持的测量项目包括：

I-V（电流-电压）曲线测量

I-T（电流-时间）曲线测量

V-T（电压-时间）曲线测量

MOS输出曲线测量

BJT输出曲线测量

MOS转移曲线测量

15

集成基准电压源性能测试套件

2

1、高性能模拟/数模混合集成电路内部经常需要高精度的稳压电源，以提供稳定的偏置电压或作为基准电压使用。一般要求这些电压源的直流输出电平稳定，而且输出电平受到外部干扰的影响较小，包括系统供电，系统负载变化和环境温度变化等。

2、待测件是一款ppm级基准电压源，通过对该芯片的电源调整率，负载调整率，温度系数等参数的测量，加深课堂有关基准电压源设计原理的理解。

16

稳压电源芯片性能测试套件

2

1、拓扑结构: Buck        

输出电压:       1.2   V to 37 V  

输出电流:       3   A  

最大输入电压:       40 V

最小输入电压:       4.5 V        

开关频率:       127   kHz to 173 kHz

作电源电流:   5   mA

2、拓扑结构: Boost

输出电压:       5   V  

输出电流:       6.5   A        

最大输入电压:       40 V

最小输入电压:       4 V  

开关频率:       115   kHz  

工作电源电流:       11 mA

17

MOSFET 器件 CV特性测量套件

2

1、包含 C-V（电容 - 电压），C-T（电容   - 时间），C-F（电容 - 频率）等多项测试测试功能

2、   测试和计算过程由软件自动执行，能够显示数据和曲线，

3、提供外置直流偏压盒，最高偏压支持到正负 200V，
  4、频率范围 100Hz – 200KHz。

18

电工技术实验装置

8

1、智能交直流电压表

量程分为2V-20V-200V-500V四档，测量范围为0～500V，四位半6个数码管数字显示，0.2级精度，最大可以显示小数点后4个数字，具有手动量程自动量程切换及读数锁存功能，仪表自带上下限报警自动关断等保护功能，同时具备交直流电压测试一键转换功能，仪表可以测试0-3000HZ的正弦电压，带0-20ma和485通讯功能。中标后三天内需提供样品给用户评测。

2、智能交直流电流表

量程分为20mA-200mA-2000mA-5A四档，测量范围为0～5A，四位半6个数码管数字显示，0.2级精度，，最大可以显示小数点后4个数字，具有手动量程自动量程切换及读数锁存功能，仪表自带上下限报警自动关断等保护功能，支持工业标准通信网络接口及协议，同时具备交直流电流测试一键转换功能，带0-20ma和485通讯功能。中标后三天内需提供样品给用户评测。

▲3、智能单相多功能表

外形96*48mm，量程分为电压0-500V ，电流0-5A，全量程自动换挡。仪表能显示交流电压、交流电流、单相有功功率、单相无功功率、功率因素、负载属性（R\L\C）等参数。

4、任意波形发生器

输出频率：0.00001Hz～20MHz，频率分辨率最小为10μHz；输出幅度0～20VP-P，幅度分辨率最小达到10mV；。

信号类型：正弦波、三角波、方波、矩形波、锯齿波、任意波等；

可调参数：占空比调节、衰减可调节、-100%～+100%的直流偏置调节、相位差可调、频率可调、幅度可调等；

具有频率测量（0～100MHz）、周期测量、正负脉宽测量、占空比测量和计数功能；

具有通讯功能，支持工业标准通信网络接口及协议，能够使用PC 控制，能够在PC 上编辑任意波形后下载到仪器输出波形。

显示：3.2寸彩色液晶屏

▲5、直流稳压稳流电源

 提供2路独立稳压电源0-30V/0-1A,具有短路和过载保护功能，三位半数显，电压调节分采用快调和细调两种方式，三个继电器控制三个电压档位，通过快调电位器自动切换档位，每一个档位由对应的继电器控制，一个档位控制10V,超强过载和保护能力，短路自动关断电压输出，达到良好的保护功能。两路电压源采用独立的变压器，变压器功率大于70W。

直流恒流源：输出分为20mA、200mA两档，由钮子开关进行切换，开路电压25V，三位半数显，具有开路保护功能。采用独立变压器，线性好且功率大于60W。电流输出数字显示，最小精度销售0.1mA。（提供样品进行性能评测）

6、实验模块

1）电路基础实验单元一,提供能完成戴维南定理、诺顿定理、基尔霍夫定律、叠加原理各实验器件齐全，实验单元隔离分明，实验线路完整清晰，验证性实验与设计性实验相结合。由一个电阻、电容、二极管、稳压管、电位器、非线性电阻组成元件库和二个双口网络及一个桥式电路组成。

2）电路基础实验单元二：由电阻、电容、二极管、稳压管、电位器、非线性电阻组成元件库和二个双口网络及一个桥式电路和十进制可调电阻箱组成，阻值为0～99999.9Ω/2W。采用模块化设计，能完成模电基本实验，电工元件安装在线路板表面，提前学生对元器件的感知能力

3）电容箱、互感器、变压器、日光灯实验模块, 高品质因数线性互感器及日光灯控制单元、步进可变电容箱（耐压＞600V），和单相变压器组成。

4)三相组合负载单元：白炽灯9个（由白炽灯、切换开关组，能进行单相和三相实验、三相对称与不对称实验，无中线实验，三相有功、无功功率，Y-△等实验。要求具有自动降压功能， 可直接入380V交流电源）。